Laboratorium przyrządów półprzewodnikowych
W skrypcie zamieszczono zbiór ćwiczeń realizowanych w ramach laboratorium
Przyrządy Półprzewodnikowe.
Każde ćwiczenie poprzedzone jest wstępem prezentującym podstawowe informacje
teoretyczne.
W każdym ćwiczeniu zamieszczono zestaw pytań sprawdzających, które pomogą
uporządkować wiedzę, a przede wszystkim połączyć teorię poznaną na wykładzie z
zagadnieniami praktycznymi.
Słowo wstępne
1. Symulacje komputerowe (SK)
1.1. Część teoretyczna
1.2. Część doświadczalna
2. Stałoprądowe właściwości diod półprzewodnikowych (D1)
2.1. Część teoretyczna
2.2. Przykładowe pytania sprawdzające
2.3. Część doświadczalna
3.Wybrane parametry małosygnałowe i praca impulsowa diody
półprzewodnikowej (D2)
3.1. Część teoretyczna
3.2. Przykładowe pytania sprawdzające
3.3. Część doświadczalna
4. Tranzystor bipolarny (T1)
4.1. Część teoretyczna
4.2. Przykładowe pytania sprawdzające
4.3. Część doświadczalna
5. Układy scalone (Usc)
5.1. Część teoretyczna
5.2. Przykładowe pytania sprawdzające
5.3. Część doświadczalna
6. Tranzystor bipolarny w układzie WE (T2)
6.1. Część teoretyczna
6.2. Przykładowe pytania sprawdzające
6.3. Część doświadczalna
7. Badanie tranzystora MOS (U1)
7.1. Część teoretyczna
7.2. Przykładowe pytania sprawdzające
7.3. Część doświadczalna
8. Tranzystory unipolarne i bipolarne w układach wzmacniających
małosygnałowych (UT1)
8.1. Część teoretyczna
8.2. Przykładowe pytania sprawdzające
8.3. Część doświadczalna
9. Symulacje komputerowe tranzystorów unipolarnych (U2)
9.1. Część teoretyczna
9.2. Przykładowe pytania sprawdzające
9.3. Część doświadczalna
10. Wielkosygnałowe właściwości tranzystorów unipolarnych i bipolarnych (UT2)
10.1. Część teoretyczna
10.2. Przykładowe pytania sprawdzające
10.3. Część doświadczalna
164 strony, oprawa miękka
